Search academic texts

Information × Registration Number 0418U001047, Candidate dissertation Status Кандидат технічних наук Date 28-12-2017 popup.evolution o Title Zinc selenide heterolayers for solid-state optoelectronic devices Author Gavaleshko Olexandr Stepanovych, popup.head Slyotov Mykhailo popup.opponent Grygorchak Ivan popup.opponent Kogut Igor Description Дисертаційна робота присвячена отриманню гетерошарів α- та β-ZnSe і дослідженню їх характеристик і параметрів. Встановлено, що метод ізовалентного заміщення дозволяє отримувати гетерошари з інтенсивною люмінесценцією у короткохвильовій області оптичного діапазону λ = 0,36÷0,52 мкм відповідно до модифікації α- та β-кристалічної ґратки. Вона формується домінуючим процесом анігіляції зв’язаних екситонів і міжзонної рекомбінації вільних носіїв заряду Отриманим гетерошарам α- та β-ZnSe характерна висока квантова ефективність η = 8÷12 %, слабка температурна залежність інтенсивності і максимуму випромінювання, а також часова стабільність і повторюваність характеристик. Вперше встановлено стійкість люмінесцентних властивостей α-ZnSe до опромінення потоком електронів густиною D  7,51015 електрон/см2 з енергією Е ~ 2 МеВ. Отримано ГШ α ZnSe з різним спектром люмінесценції у діапазоні з λm = 0,43 мкм до λm = 0,51 мкм та короткохвильове оптичне випромінювання з енергією фотонів ћω = 3,05÷3,30 еВ і квантовою ефективністю η = 5,8 % при 300 К на гетерошарах ZnSexS1-x. На гетерошарах α-ZnSe з модифікованою поверхнею отримано випромінювання наноструктур внаслідок розмірного квантування енергії носіїв заряду з максимумом ћωm = 3,24 еВ і ефективністю η = 15. Registration Date 2017-12-28 popup.nrat_date 2020-04-03 Close