Search academic texts

Information × Registration Number 0419U004691, Candidate dissertation Status Кандидат фізико-математичних наук Date 28-10-2019 popup.evolution o Title Features of thermal transport in porous silicon-based semiconductor structures Author Lishchuk Pavlo Oleksandrovych, popup.head Burbelo Roman M. popup.opponent Tatarenko Valentyn A. popup.opponent Велещук Віталій Петрович Description Дисертаційна робота присвячена експериментальним дослідженням особливостей теплового транспорту в напівпровідникових структурах на основі поруватого кремнію (ПК) фотоакустичними (ФА) газомікрофонними методами. Запропоновано модель формування ФА відгуку в структурах з різною конфігурацією пор при застосуванні ФА методів у фронтальній конфігурації, яка дозволяє визначити їх коефіцієнт теплопровідності (ТП) в більш широкому діапазоні значень, ніж модель «критичної частоти». Встановлено, що збільшення рівня легування вихідних пластин кремнію на 4 порядки зменшує ТП утвореного масиву нанониток у 25 разів. Показано, що приріст ТП при інкорпоруванні рідини в пори у системах з фрактальною морфологією значно вищий, ніж у системах з впорядкованою структурою. Експериментально встановлено залежність ТП аморфізованого ПК різної поруватості від частки аморфізації. Показано, що застосування ФА методу дозволяє визначити коефіцієнт ТП зразків з високими значеннями поруватості та частки аморфізації (> 70 %). Експериментально отримано залежність ТП мультишарової системи на основі ПК від просторового розподілу періодично розташованих субмікронних шарів ПК різної поруватості. Запропоновано модель, яка вказує на наявність теплового опору інтерфейсу між шарами ПК різної поруватості. Отримано залежність величини цього опору від різниці поруватості між шарами ПК. Registration Date 2019-10-28 popup.nrat_date 2020-04-03 Close