Search academic texts

Registration Number

0493U000302, Candidate dissertation

Title

Author

Кардашов Дмитрий Леонидович,

popup.head Баженов В.К.
popup.opponent Кив А.Е.
popup.opponent Миронченко Ю.О.

Status

к.ф.-м.н., 01.04.07, Фізика твердого тіла

Date

27-11-1992

Description

Объект исследования: Полупроводники IV группы, полупроводниковые соединения А3В5 и А2В6, диэлектрики SiO2; Si3N4. Цель исследования: Разработка единой методики расчета плотности электронных состояний и уровней дефектов в кристалльных и аморфных твердых телах. Методы исследования и аппаратура: Метод функций Грина; ЭВМ "ДВК-3". Теоретические результаты и новизна: На базе теории функций Грина разработана новая схема расчета энергетического спектра нейтральных вакансий в твердых телах; разработана новая методика расчета плотности электронных состояний в полупроводниках общей структуры в модели кластера с решеткой Бете. Сфера (область) использования: Физика твердого тела, физика полупроводников и диэлектриков.