Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0493U000302, Кандидатська дисертація

На здобуття

к.ф.-м.н., 01.04.07, Фізика твердого тіла

Дата захисту

27-11-1992

Статус

Запланована

Назва роботи

Плотность электронных состояний и уровни вакансий в алмазоподобных полупроводниках

Здобувач

Кардашов Дмитрий Леонидович,

Керівник Баженов В.К.
Опонент Кив А.Е.
Опонент Миронченко Ю.О.

Опис

Объект исследования: Полупроводники IV группы, полупроводниковые соединения А3В5 и А2В6, диэлектрики SiO2; Si3N4. Цель исследования: Разработка единой методики расчета плотности электронных состояний и уровней дефектов в кристалльных и аморфных твердых телах. Методы исследования и аппаратура: Метод функций Грина; ЭВМ "ДВК-3". Теоретические результаты и новизна: На базе теории функций Грина разработана новая схема расчета энергетического спектра нейтральных вакансий в твердых телах; разработана новая методика расчета плотности электронных состояний в полупроводниках общей структуры в модели кластера с решеткой Бете. Сфера (область) использования: Физика твердого тела, физика полупроводников и диэлектриков.

Додано в НРАТ

2020-05-17