Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0493U000302, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 27-11-1992 Статус Запланована Назва роботи Плотность электронных состояний и уровни вакансий в алмазоподобных полупроводниках Здобувач Кардашов Дмитрий Леонидович, Керівник Баженов В.К. Опонент Кив А.Е. Опонент Миронченко Ю.О. Опис Объект исследования: Полупроводники IV группы, полупроводниковые соединения А3В5 и А2В6, диэлектрики SiO2; Si3N4. Цель исследования: Разработка единой методики расчета плотности электронных состояний и уровней дефектов в кристалльных и аморфных твердых телах. Методы исследования и аппаратура: Метод функций Грина; ЭВМ "ДВК-3". Теоретические результаты и новизна: На базе теории функций Грина разработана новая схема расчета энергетического спектра нейтральных вакансий в твердых телах; разработана новая методика расчета плотности электронных состояний в полупроводниках общей структуры в модели кластера с решеткой Бете. Сфера (область) использования: Физика твердого тела, физика полупроводников и диэлектриков. Дата реєстрації 1992-11-27 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити