Information × Registration Number 0496U002011, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 06-12-1995 popup.evolution o Title Author Павлишенко Богдан Михайлович, popup.head Щувар Р.Я. popup.opponent Савицкий В.Г. popup.opponent Цюцюра Д.И. Description Объект исследования: Широкозонные полупроводники с локальными уровнями. Цель исследования: Изучение рекомбинационного механизма пьезофоторезистивного эффекта. Методы исследования и аппаратура: Аналитические и численные методы анализа неравновесных процессов в полупроводниках. Теоретические результаты и новизна: Теория рекомбинационного механизма пьезофоторезистивного эффекта, показана возможность эффективного изменения. Практические результаты и новизна: Стационарным фотовозбуждением динамической тензочувствительности. Предмет и степень внедрения: Теория пьезофоторезистивного эффекта. Сфера (область) использования: Физика полупроводников, функциональная электроника. Registration Date 1995-12-06 popup.nrat_date 2020-05-17 Close
Candidate dissertation
Павлишенко Богдан Михайлович.
: к.ф.-м.н. :
spec.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків :
presented. 1995-12-06; popup.evolution: .;
. – , 0496U002011.