Search academic texts

Information × Registration Number 0497U004151, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 05-12-1996 popup.evolution o Title Author Бойко тарас Георгиевич, popup.head Буджак Я.С. popup.opponent Готра З.Ю. popup.opponent Новосядлый С.П. Description Объект исследования: Твердый планарный источник /ТПИ/ примеси фосфора для диффузионных процессов легирования кремния. Цель исследования: Определение основных эксплуатационных характеристик ТПИ, получение неглубоких диффузионных слоев фосфора в кремнии. Методы исследования и аппаратура: Дифференциально-термический анализ, Q-1500 D; дилатометрические исследования, ДКВ-5А, рентгенофазный анал. ДРОН-3М. Теоретические результаты и новизна: Определено ресурс работы, легирующую способность ТПИ, массоотдачу поверхностного диффузанта, расчетный диф. профиль. Практические результаты и новизна: Разработана технология изготовления нового низкотемпературного ТПИ; установлено, что его использование дает возможность повысить прооизводительность и воспроизводимость процессов легирования кремния фосфором. Предмет и степень внедрения: ТПИ использованы при изготовлении полупроводниковых изделий АТ "Родон" г. Ив.-Франковск, ВАТ "ЦКБ Ритм" г. Черновцы. Сфера (область) использования: Полупроводниковые и микроэлектронные предприятия. Registration Date 1996-12-05 popup.nrat_date 2020-05-17 Close