Search academic texts

Information × Registration Number 0498U000083, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 17-12-1997 popup.evolution o Title Author Галкин С.Н., popup.head Рыжиков В.Д. popup.head Гальчинецкий Л.П. popup.opponent Бланк А.Б. popup.opponent Рогачева Е.И. Description Объект исследования: Полупроводниковые соединения типа А2В6, в частности, селенид цинка, сульфид кадмия и телурид цинка, которые используются в устройствах ИК-оптики и сцинтилляционной технике. Цель исследования: Разработка способов получения оптических и сцинтилляционных кристаллов типа А2В6 с применением новых данных, полученных при изучении их физико-химических свойств. Методы исследования и аппаратура: Термодинамический, рентгенфлуоресцентный, рентгенофазовый, спектральный анализ, Спектрофотометры СФ-4, СФ-46, КСВУ-23, рентгеновские излучатели "РЕИС", "ИРИ". Теоретические результаты и новизна: Наличие двух конкурирующих процессов, влияющих на распределение теллура вдоль кристаллов ZnSe(Te). Практические результаты и новизна: В результате проведенных исследований достигнута возможность целенаправленного получения "быстрых" или "медленных" сцинтилляторов ZnSe(Te), что позволяет изготавливать детекторы для дозиметров, спектрометров, томографов, способных работать в режиме реального времени. Предмет и степень внедрения: Внедрена методика подготовки шихты для выращивания кристаллов ZnSe(Te). Эффективность внедрения: Повысилась воспроизводимость технологии (получения оцинтилляционных кристаллов ZnSe(Te). Сфера (область) использования: Материаловедение веществ оптического и радиационного приборостроения. Registration Date 1997-12-17 popup.nrat_date 2020-05-17 Close