Search academic texts

Information × Registration Number 0499U001819, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 02-07-1999 popup.evolution o Title Research of fotoelectric properties of arsenide-gallic field effect transistors with Schottky barrier and development of optoelectronic commutation devices Author Tarnovs'kyj Mykola Gennadijovych, popup.head Осадчук Володимир Степанович popup.opponent Кожем'яко Володимир Прокопович popup.opponent Троцишин Іван Васильович Description Об'єкт дослідження - цифрові оптоелектронні комутуючі пристрої. Мета досліджень - розробка принципів побудови уніфікованого оптоелектронного комутаційного елемента, основаного на використанні оптичної чутливості арсенід-галлієвих польових транзисторів з бар'єром Шотткі (GaAs-ПТШ). Методи дослідження та апаратура - аналітичні, експериментальні, ПЕОМ, вимірювальні прилади.Теоретичні й практичні результати - розроблено математичні моделі статичних та динамічних характеристик оптично керованих GaAs-ПТШ; визначені принципи побудови на транзисторах такого типу оптоелектронних цифрових ключів та оптоелектронних логічних елементів на їх основі; розроблені рекомендації щодо апаратної реалізації високопродуктивного оптоелектронного комутаційного вузла, здатного організувати високошвидкісний обмін даними між віддаленими абонентами. Новітність нововпроваджуваного - підтверджується патентами України. Ступінь упровадження - в межах галузі. Сфера (галузь) використання - системи комутації даних, високошвидкісні цифр ові оптоелектронні пристрої. Registration Date 2001-05-23 popup.nrat_date 2021-03-17 Close