Search academic texts

Information × Registration Number 0501U000338, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 15-10-2001 popup.evolution o Title . GENERATION- RECOMBINATION PROCESSES IN THE HETEROSTRUCTURES WITH THIN LAYERS OF POROUS SILICON AND SILICON OXIDE. Author Skryshevs'kyj Valerij Antonovych, popup.head Третяк Олег Васильович popup.opponent Бродин Михайло Семенович popup.opponent Комащенко ВалерійМиколайович popup.opponent Литовченко Петро Григорович Description Кремнієві гетероструктури з шарами поруватого кремнію. Розробити фізичні основи роботи хімічних сенсорів та сонячних елементів. Методи- експериментальне дослідження поверх-ні, електрофізичних властивостей, аналітичні розрахунки, чисельне моделювання. Досліджено механізми електронного переносу в контактах з шарами поруватого кремнію, визначено параметри локалізованих станів та рекомбіна-ційні характеристики анодних шарів поруватого кремнію. Створено ефективні сенсори водню, сонячні елементи з селективними дифузорами, фотоприймачі. Сфера використання- напівпровід-никова мікроелектроніка, оптоелектроніка. Registration Date 2001-10-15 popup.nrat_date 2020-04-04 Close