Search academic texts

Information × Registration Number 0504U000025, Doctoral dissertation Status д.т.н. Date 26-12-2003 popup.evolution o Title Рhysical - technological peculiarities of the submicron structures VLSI forming. Author Novosyadlyj Stepan Petrovych, popup.opponent Войтович Ігор Данилович popup.opponent Раренко Іларій Михайлович popup.opponent Смеркло Любомир Михайлович Description В дисертації представлені результати досліджень технологічних процесів та приладних структур великих інтегральних схем і на їх основі розроблені основні базові принципи високоефективної субмікронної технології високого рівня: модульність технологічних чистих зон з іонізацією ламінарних повітряних потоків для забезпечення високої чистоти з нейтралізацією електростатичних зарядів і індивідуальною обробкою Si-пластин; автоматизоване проектування бездефектної топології кристалів ВІС засобами САПР на основі комп'ютерних технологій з використанням математичного моделювання, верифікації, генерації тестової послідовності і контролем проектних норм конструкторсько-технологічних обмежень (КТО) приладних структур; низький рівень дефектоутворення при формуванні функціональних шарів структур кристалів з використанням гетерної технології і низькотемпературних процесів нанесення плівок; електрофізичне комп'ютерне діагностування для прогнозування надійності кристалів ВІС за рівнем нелінійності характеристик приладнихструктур і дисперсії електрофізичних параметрів тестових структур (ТС), сформованих згідно технологічного маршруту виготовлення кристалів ВІС; корозійну стійкість металізації і багаторівневої розводки топології структур, радіаційну стійкість затворної системи і міжфазної межі розділу Si-SiO2; прецизійність процесів багатозарядної імплантації, проекційної літографії і плазмохімічного травлення з використанням висококонтрастного фоторезисту; конформність низькотемпературних процесів осадження функціональних шарів та їх анізотропність травлення при формуванні приладних структур; аналітичність фізико-хімічного кількісного та якісного аналізу в процесі формування функціональних шарів; прецизійність електричних параметрів ВІС за рахунок радіаційного юстування порогових напруг МОН-транзисторів багатозарядними іонами домішок і -опромінення; математичне моделювання технологічних процесів для визначення проектних норм КТО приладних структур для повної адекватності моделей елементів реальній фізичній структурі. Ключовіслова: функціональний шар, тестова структура, міжфазна межа розділу, ізоконцентраційна домішка, багатозарядна імплантація, гетерна технологія, електрофізичне діагностування, поліімідна ізоляція. Registration Date 2003-12-26 popup.nrat_date 2020-04-04 Close