Search academic texts

Information × Registration Number 0505U000233, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 21-04-2005 popup.evolution o Title Physical properties of the impurity and defect paramagnetic centers in silicon carbide polytypes Author Kalabukhova Ekaterina Nikolaevna, popup.head Shanina Bela Dmitrievna popup.opponent Глинчук Майя Давидівна popup.opponent Данилов Вадим Васильович popup.opponent Лисенко Володимир Сергійович Description В дисертації вивчені фізичні властивості домішкових та дефектних центрів у 6Н, 4H та 3С SiC методами високочастотного/високопольового (ВЧ/ВП) ЕПР та ПЕЯР. На основі дослідження ВЧ/ВП спектрів ЕПР та ПЕЯР донорів азоту, закономірностей їх температурного та концентраційної поведінки визначені електрона структура, енергетичні характеристики та тип вузла, який заміщує донори азоту в 6Н та 4H-SiC. Виявлений та вивчений низькотемпературний стрибковий механізм делокалізації електронів в 4Н та 6Н SiC сильно легованих азотом. Досліджені дві групи спектрів ЕПР та ПЕЯР фосфору у 6Н SiC, що відрізняються величиною та характером надтонкої взаємодії (НТВ). Обговорюються модель центрів фосфору та їх енергетичні характеристики. Вивчені спектри ЕПР бору на частоті 140 ГГц в 6Н, 4Н та 3С SiC від 4.2K до 100K. Отримані дані про напрямки головних осей g-тензорів, тензорів НТВ та частотної залежності температури, при якій симетрія спектру ЕПР бору змінюється від моноклінної до аксіальної, що узгоджуються з моделлю бору, вякій неспарована дірка локалізована на найближчому атомі вуглецю: BSi -C+, а в оточенні атомів бору існує релаксація гратки. Виявлено відмінність у механізмі дефектоутворення у 6Н та 4H-SiC з порушеним стехіометричним складом. Досліджені рекомбінаційні процеси, що протікають у напівізолюючому матеріалі 4H-SiC при фотозбудженні. Встановлено, що дефектом, що відповідає за час життя неосновних носіїв заряду у наівізолюючому 4Н SiC є вакансія кремнію у зарядовому стані 3-, яка має донорний характер. Ключові слова: ВЧ/ВП ЕПР, ПЕЯР, карбід кремнію, домішки, власні дефекти, електронна структура, напівізолюючий карбід кремнію. Registration Date 2005-04-21 popup.nrat_date 2020-04-04 Close