Search academic texts

Information × Registration Number 0506U000206, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 31-03-2006 popup.evolution o Title Heterojunctions on the basis of single-crystal and porous А2В6 and А3В5 structures obtained by radical beam epitaxy Author Kidalov Valeriy Vitalivich, popup.head Sukach G.A. popup.opponent Вікулін І.М. popup.opponent Дейбук В.Г. popup.opponent Птащенко О.О. Description Гетероструктури на основі сполук А3B5 (GaN/GaAs; GaN/por-GaAs) і А2B6 (ZnO/ZnSe; ZnO/ZnS:Mn). Методи досліджень: скануюча електронна мікроскопія, рентгенівська дифрактометрія, фотолюмінесценція, електролюмінесценція, математичне моде-лювання процесів дефектоутворення, вторинно-ioнна мас-спектроскопія, рентге-нівська фотоелектронна спектроскопія, растрова електронна мікроскопія, спектральний аналіз, комбінаційне розсіювання світла, електронна спектроскопія для хімічного аналізу, електроний парамагнітний резонанс. Наукова новизна отриманих результатів. У результаті комплексних експериментальних та теоретичних досліджень фізико-технологічних аспектів формування гетероструктур на основі сполук А3B5 та А2B6 вперше отримано такі результати: Створено та аналітично і чисельно розраховано моделі процесів росту тонких епітаксійних плівок GaN при нітридизації GaAs; Розроблено та експериментально досліджено фізико-технологічні основи процесів нітридизації монокристалічного GaAs шляхом обробки його збудженими атомами азоту; Вперше отримано нанопоруваті шари GaAs як n-, так і p-типу, а також встановлено їх морфологічні та люмінесцентні властивості; Встановлено вплив морфології поруватої підкладки GaAs і параметрів нітридизації на механічні напруження у плівках GaN, а також на їх люмінесцентні властивості; Експериментально виявлено особливості випромінювальних властивостей епітаксійних плівок GaN, отриманих відпалом поруватих і монокристалічних підкладок GaAs в потоці збуджених атомів азоту; Встановлено вплив параметрів відпалу в потоці атомарного азоту на люмінесцентні властивості низькоомних кристалів р-GaN:Zn, виявлено нові смуги фотолюмінесценції та встановлено участь кисню в їх формуванні; Експериментально показано, що плівки GaN кубічної сингонії формуються на поруватих (001) -підкладках GaAs, а гексагональної сингонії - на поруватих (111)-підкладках GaAs: Встановлено механізм дефектоутворення в плівках ZnS:Mn під час обробки в атомарному кисні, який включає не тільки витягування іонів цинку на поверхню і супроводжується генерацією VZn, але й дифузію іонів кисню вглиб плівки з утворенням там ізовалентних пасток [Os2-]O та їх комплексів з іонами Mn2+. Практична цінність результатів роботи: Розроблено фізико-технологічні основи процесів нітридизації підкладок GaAs в атомарному азоті та створено експериментальнo технологічну базу для отримання гетероструктур: GaN/GaAs; GaN/por-GaAs (111); GaN/por-GaAs (001); Розроблено та апробовано нову технологію вирощування тонких плівок GaN з мінімальними механічними напруженнями, що дозволить збільшити термін служби приладів на основі GaN; проведено оптимізацію процесів виробництва тонкоплівкових електролюмінесцентних структур на основі ZnS:Mn шляхом низькотемпературної обробки їх у потоці атомарного кисню, що веде до зниження порогової напруги та покращення симетричності хвиль яскравості; продемонстровано можливість отримання різних кольорів випромінювання одного й того самого люмінесцентного шару ZnS:Mn, обробленого в потоці атомарної сірки, який містить не один, а декілька центрів випромінювання різного типу. При цьому зміна умов збудження ектролюмінесценції призводить до зміни кольору випромінювання звичайної п'ятишарової МДНДМ структури. Сферою використання є мікроелектроніка. Registration Date 2006-03-31 popup.nrat_date 2020-04-04 Close