Search academic texts

Information × Registration Number 0506U000325, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 26-05-2006 popup.evolution o Title Nature and structure of paramagnetic defects in GaAs, SiC and silicon-based materials with nanostructures Author Bratus' Victor Yakovych, popup.opponent Рябченко Сергій Михайлович popup.opponent Глинчук Майя Давидівна popup.opponent Скришевський Валерій Антонович Description Дисертацію присвячено вирішенню проблеми з'ясування природи та структури домішкових і власних парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. З'ясовано, що резонансне спінове поглинання центрів Mn у нейтральному стані має електродипольну природу. Визначено симетрію та параметри надтонкої взаємодії для мілкої домішки бору у 3C-SiC. Розглянуто модель центра BSi, у рамках якої пояснено параметри спектру ЕПР та його температурні зміни. Визначено параметри спін-гамільтоніана трьох основних дефектів Ку1, Ку2 і Ку3, утворених опроміненням електронами кристалів 6H-SiC p-типу. Порівняння експериментальних та розрахованих із перших принципів параметрів надтонкої взаємодії дозволило ідентифікувати ці дефекти як позитивно заряджену вакансію вуглецю у трьох нееквівалентних положеннях ґратки 6H-SiC, а центри Т5 та ЕІ3 відповідно як позитивний та нейтральний зарядові стани розщепленого у напрямку <100> вуглецевого міжвузля. Обґрунтовано модель дефекту Pb на інтерфейсі Si/SiO2. Спостережено та ідентифіковано парамагнітні дефекти у широкому колі кремнієвих матеріалів, отриманих різними способами розпилення та імплантацією іонів у структури Si/SiO2. Registration Date 2006-05-26 popup.nrat_date 2020-04-04 Close