Search academic texts

Information × Registration Number 0506U000492, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 08-09-2006 popup.evolution o Title Microplasticity of diamond-like crystals (Si, Ge, GaAs, InAs) Author Nadtochiy Victor Alekseevich, popup.head Nechvolod N.K. popup.opponent Бенгус В.З. popup.opponent Мацокін В.П. popup.opponent Мамалуй А.О. Description Об'єкт - Si, Ge, GaAs, InAs з дислокаціями і без них; мета - встановити фізичні закономірності і виявити структурно-кінетичні особливості низькотемпературної (при Т < 0,35Tпл) мікропластичної деформації приповерхневих шарів алмазоподібних кристалів при малих і середніх рівнях напружень (? 400 МПа); методи - мікроіндентування поверхні, одноосьове навантаження (однократне, циклічне, програмоване, у тому числі з ультразвуковим опроміненням), лазерне опромінення; використання оптичної та електронної мікроскопії, рентгеноструктурний аналіз; новизна - вперше показано, що при низьких температурах деформації рух дислокацій спостерігається лише у тонких приповерхневих шарах кристалів і зумовлений їх переповзанням; результати - проаналізовано гетерогенний механізм зародження дислокацій, виявлена анізоторопія мікропластичності у кристалах Ge, досліджено вплив дислокацій на електричні властивості Ge і Si p-n-переходів, запропонована нова модель утворення періодичної структури дислокацій при лазерному опроміненні Ge, розроблені комп'ютерні програми для розрахунку температурних полів на поверхні Ge в околі лазерної плями та часу життя нерівноважних носіїв заряду, інжектованих через дефектний приповерхневий шар углиб кристала; галузь - фізика твердого тіла Registration Date 2006-09-08 popup.nrat_date 2020-04-04 Close