Search academic texts

Information × Registration Number 0506U000623, Doctoral dissertation Status д.т.н. Date 27-10-2006 popup.evolution o Title Complex doped structures based on A3B5 Author Krukovsky Semen Ivanovuch, popup.head Stakhira Iosyp Mykhailovych popup.opponent Вербицький Володимир Григорович popup.opponent Лепіх Ярослав Ілліч popup.opponent Ціж Богдан Романович popup.opponent Дружинін Анатолій Олександрович Description Розроблено і реалізовано, на основі методу РФЕ, концепцію впливу на домішково-дефектну систему епітаксійних шарів та структур А3В5 комплексним легуванням хімічними елементами різного функціонального призначення, одні із котрих виконують роль гетерів неконтрольованих домішок, інші - підсилювачів ефекту гетерування. На прикладі сполук GaAs, AlGaAs, InP, InGaAs, InGaAsP досліджено основні закономірності впливу комплексного легування рідкісноземельними та ізовалентними ементами на їх фотолюмінесцентні, кінетичні та структурні властивості. Визначено оптимальні кількісні співвідношення між рідкісноземельними та ізовалентними елементами у розплаві, при котрих параметри епітаксійних шарів, отриманих методом РФЕ, є найкращими. Запропоновано механізм очистки епітаксійних шарів А3В5 під впливом комплексного легування. Отримані результати лягли в основу нових технологічних підходів до формування приладних епітаксійних структур А3В5 з покращеними характеристиками. Registration Date 2006-10-27 popup.nrat_date 2020-04-04 Close