Search academic texts

Information × Registration Number 0513U000098, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 31-01-2013 popup.evolution o Title Electron quantum-coherent and incoherent transport in complex heterostructures Author Bilogolovskyy Mykhaylo Olexandrovych, popup.head Kryvoruchko Volodymyr Mykolayovych popup.opponent Омельянчук Олександр Миколайович popup.opponent Крупа Микола Миколайович popup.opponent Філіпов Олександр Ельвінович popup.opponent Хоткевич Андрій Володимирович Description Мета роботи - створення послідовної теорії квантового транспорту в складних твердотільних гетероструктурах з урахуванням просторової неоднорідності шарів і ефектів декогеренції в них, а також перевірка теоретичних висновків експериментально. Об’єкт дослідження - гібридні гетеропереходи на основі діелектричних і металевих (в нормальному, надпровідному і феромагнітному станах) шарів. Були одержані наступні результати: розроблено аналітичний метод розрахунку транспортних характеристик багатошарових планарних структур; досліджено вплив квантових розмірних ефектів в металевих прошарках на фазово-когерентний транспорт; з’ясовано вплив пружних і непружних підбар’єрних зіткнень тунелюючого електрона на транспортні властивості гетероструктур, а також встановлена природа гістерезисних явищ у контактах на основі складних оксидів перехідних металів; запропонований і реалізований практично новий метод одержання надпровідників з поліпшеними поверхневими властивостями; досліджено процес переходу від квантового до напівкласичного і класичного транспортних режимів в багатошарових структурах; запропоновані, теоретично обгрунтовані і практично реалізовані нові мікроелектронні пристрої на основі гібридних багатошарових структур: безгістерезисний джозефсонівський перехід з робочою температурою 4.2 К і гібридний трьохелектродний надпровідниковий аналог напівпровідникового транзистора. Одержані результати мають важливе наукове та практичне значення для подальшого розвитку фізики складних твердотільних гетероструктур. Вони можуть бути використані при виконанні відповідних науково-дослідних робіт в інститутах НАНУ та вищих навчальних закладах, а також при розробці нових пристроїв наноелектроніки в науково-виробничих підприємствах України. Registration Date 2013-01-31 popup.nrat_date 2020-04-04 Close