Search academic texts

Information × Registration Number 0517U000215, Doctoral dissertation Status д.т.н. Date 16-03-2017 popup.evolution o Title Modification of system silicon - porous silicon - nanosized films of oxides (SiO2, SnO2, ZnO) for devices of electronic technology. Author Khrypko Sergii Leonidovich, popup.head Levinzon David Idelevich popup.opponent Романюк Борис Миколайович popup.opponent Критська Татьяна Володимірівна popup.opponent Стахіра Павло Йосипович Description Дисертацію присвячено розробленню та вдосконаленню технології отримання структур системи кремній - пористий кремній - нанорозмірні плівки оксидів (SiO2, SnO2, ZnO) для пристроїв електронної техніки. Розроблено технологію формування шарів пористого кремнію шляхом модифікування поверхні електрохімічним травленням. Експериментально та теоретично досліджено причини та форми утворення нанокристалів кремнію під час їх росту та подальших термічних обробок. З'ясовано вплив морфології пористого кремнію на особливості електронних і фононних збуджень у наноструктурах та їхні оптичні властивості. Проведено модифікування структури нанорозмірної плівки оксиду SiO2 кремнієм 28Si+ методом імплантації. Встановлено закономірності та з'ясовано механізми, які відповідальні за випромінювання нанокристалів кремнію на різних етапах їхньої структурної трансформації при різних технологічних параметрах. Запропоновано модель, яка описує залежність інтенсивності фотолюмінесценції від дози імплантації та температури відпалу на засаді уявлень про гомогенний розпад перенасиченого твердого розчину з урахуванням коалесценції нанокристалів і залежності ймовірності міжзонної випромінювальної рекомбінації у квантових точках кремнію від їхнього розміру. Розроблено технологію модифікування структури нанорозмірних плівок оксидів (SiO2, SnO2, ZnO) легуванням сурмою, алюмінієм та фтором методом спрей-піролізу. Отримано значення електрооптичних параметрів: поверхневого опору, питомого опору, рухливості носіїв заряду, концентрації носіїв заряду, оптичного пропускання. Визначено величину оптичної забороненої зони плівки. Створено напівпровідникові прилади, а саме, сонячні елементи, транзисторні та світловипромінювальні структури з метою дослідження їхніх характеристик для вивчення фізичних явищ і процесів як у самих приладах, так і в структурах з використанням стандартного та нескладного нестандартного обладнання. Проведено комплексне дослідження впливу різних факторів на електрофізичні, структурні й оптичні властивості розроблених і виготовлених низькорозмірних структур Registration Date 2017-03-16 popup.nrat_date 2020-04-03 Close