Search academic texts

Information × Registration Number 0519U001934, Doctoral dissertation Status Доктор фізико-математичних наук Date 19-12-2019 popup.evolution o Title Spontaneous nanostructuring of metallic and semiconductor surfaces investigated be means of scanning tunneling microscopy. Author Goriachko Andriy Mykolayovych, Кандидат фізико-математичних наук popup.head Nakhodkin Mykola G popup.advisor Nakhodkin Mykola G. popup.opponent Romanyuk Borys M. popup.opponent Firstov Sergiiy O. popup.opponent Karbivskii Volodymyr L. Description Методами сканувальної тунельної мікроскопії, електронної Оже спектроскопії, Х-променевої фотоелектронної спектроскопії, мікроскопії електронів низьких енергій, дифракції повільних електронів у надвисокому вакуумі досліджено явище спонтанної наноструктуризації поверхонь Si(001), Ge(111), SiC(0001) та Ru(0001) внаслідок взаємодії із адсорбатами: Bi, Cu, Au, Pd, C; 2D-матеріалами: С(0001), BN(0001), (BN)xCy; молекулами газів: O2, C2H2, HCl. Створено нову систему нанопозиціонування типу хрестовиноподібний сканер для сканувальної зондової мікроскопії. Експериментально реалізовано спонтанно наноструктуровані поверхні: Si(001)-с(8×8), Ge(111)-с(2×8) з 1D ланцюжками комірок (2×2) та с(2×4) або 0D груповими вакансіями, Ві/Ge(111) в режимах 0D, 2D та 3D наноструктуризації, графен/Ge(111)-5,5√3×5,5√3, графен/⁠SiC(0001), BN/Ru(0001)-12×12, Au/BN/Ru(0001), Pd/BN/Ru(0001), (BN)xCy/Ru(0001), Au/Ru(0001), Au/графен/Ru(0001), RuO2(110)/Ru(0001). Для експериментально створених наноструктур побудовано детальні атомарні моделі та ідентифіковано рушійні сили, що спричиняють їхнє виникнення. Для систем класу (BN)xCy/Ru(0001), одержані експериментальні результати підтверджено проведеними розрахунками оптимізованої кристалічної структури з перших принципів. Registration Date 2019-12-19 popup.nrat_date 2020-04-03 Close