Search academic texts

Information × Registration Number 0593U000154, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 26-03-1993 popup.evolution o Title Author Ясковец Иван Иванович, popup.opponent Аброян И.А. popup.opponent Кошкин В.М. popup.opponent Шендеровский В.А. Description Объект исследования: Кристаллические ковалентные полупроводники, халькогенидные стеклоподобные полупроводники. Цель исследования: Раскрытие основных закономерностей стимулированных облучением в кристаллических полупроводниках как совокупности квазихимических реакций; изучение кинетических явлений в неоднородных полупроводниках; исследование проблемы состояний в щели по подвижности стеклоподобных полупроводников; построение основ теории дефектообразования в стеклоподобных полупроводниках. Методы исследования и аппаратура: Аналитические методы теории кинетических явлений в полупроводниках, теории автолокализации носителей заряда. Теоретические результаты и новизна: Представлена теория реакций между точечными дефектами с учетом пространственной корреляции между вакансиями и междуузловыми атомами; теория явлений электронного перноса в полупроводниках с крупномасштабными дефектами; теория автолокализованных состояний в щели по подвижности и стимулированных облучениях структурных превращений в халькогенидных стеклбх. Практические результаты и новизна: Полученные результаты позволяют определить основные парметры областей повреждений при облучении полупроводников тяжелыми частицами, оценивать кинетику накопления радиационных дефектов. Может быть использована при применении ионизирующего облучения как технологического приема для управления свойствами полупроводниковых материалов и приборов на их осное. Registration Date 1993-02-17 popup.nrat_date 2021-03-18 Close