Search academic texts

Information × Registration Number 0593U000187, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 23-04-1993 popup.evolution o Title Author Тартачник Владимир Петрович, popup.opponent Бабич В.М. popup.opponent Грушка Г.Г. popup.opponent Корбутяк Д.В. Description Объект исследования: Бинарные полупроводники - фосфид галлия, фосфид индия, дифосфид цинка и дифосфид кадмия. Цель исследования: Получение детальной информации о природе дефектных состояний, возникающих при облучении в полупроводниковых фосфидах, определение специфики дефектообразования в анизотропных кристаллах, получение сведений о механизмах деградации и восстановления физических свойств, разработка способов управления этими процессами. Методы исследования и аппаратура: Метод аннигиляции позитронов, НСГУ, оптическое поглощение, фотопроводимость, электро- и фотолюминесценция, Эффект Холла, микротвердость, отжиг. Теоретические результаты и новизна: Расчитаны сечения образования точечных дефектов и областей разупорядочения в фосфиде галлия. Впервые получены пороговые образования радиационных дефектов в СаР, исследованы их свойства. Получены основные характеристики и параметры областей разупорядочения, изучены длинновременные релаксационные процессы в облученных СаР и InР. Практические результаты и новизна: Разработан способ получения низкоомного ZnР2, способ увеличения прозрачности СаР в видимой области спектра, способ ультразвукового восстановления интенсивности свечения фосфидо-галлиевых светодиодов, предложен режим радиационно-термической обработки кристаллов СаР, улучшающий их однородность, сконструировано устройство для радиационной обработки образц. Предмет и степень внедрения: Способ увеличения прозрачности кристаллов фосфида галлия планируется внедрить на заводе Чистых металлов (г.Светловодск), устройство для облучения - в Институте ФХ АН Украины. Сфера (область) использования: Полупроводниковая микро- и оптоэлектроника, квантовая электроника, ядерное легирование полупроводников, ионная имплантация. Registration Date 1993-02-28 popup.nrat_date 2021-03-18 Close