Search academic texts

Information × Registration Number 0593U001030, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 18-12-1992 popup.evolution o Title Author Курило Иван Васильевич, popup.opponent Бурак Я.Й. popup.opponent Богачова О.И. popup.opponent Венгренович Р.Д. Description Объект исследования: Полупроводниковые кристаллы группы А2В6 и группы А4В6. Цель исследования: Установление общих закономерностей и особенностей пластической деформации и разрушения кристаллов А2В6 и А4В6, механизмов, что ее контролируют для целенаправленного изменения физико-механических свойств иструктуры при помощи технологических факторов и внешних влияний. Методы исследования и аппаратура: Одноосевое сжатие (инстрон), микротвердость (ПМТ-3), кинетическая микротвердость (УПМ-1), металлографические, рентгенотопографические, рентгенодифракционные, оптические, электронная микроскопия, рентгеноспектральный микроанализ (Камебакс), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (ЕСХА-спектрометр), метод наведенного тока, комбинационное рассеяние. Теоретические результаты и новизна: Физические модели массопереноса в системе СdТеН2, бинарные коэффициенты дифузии; упругое обновление размеров отпечатка индентора; условия бездефектного полирования полупроводниковых материалов. Практические результаты и новизна: Предложено способ определения коэффициента термо-ерс нитевидных кристаллов и создано прибор для измерения этого параметра; Предложено метод создания датчиков деформации с повышенными характеристиками на основе облученных лазером кристаллов РвТе. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника, технология полупроводниковых материалов и приборов на их основе, метрология. Registration Date 1993-03-09 popup.nrat_date 2021-03-18 Close