Search academic texts

Information × Registration Number 0599U000101, Doctoral dissertation Status д.т.н. Date 14-04-1999 popup.evolution o Title Scientific fundamentals and development of a competitive technology of single crystal silicon by the method of special electrometallurgy (float – zone melting) Author Chervonyj Ivan Fedorovych, popup.opponent Лакомський Віктор Йосипович popup.opponent Мокрицький Вадим Анатолійович popup.opponent Прутцков Дмитро Володимирович Description Дисертація присвячена питанням вирощування методом безтигельної зонної плавки високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію великого діаметра. В роботі розвиваються нові напрямки щодо створення оптимальних теплових умов та режимів вирощування. Запропоновані нові рішення теплових систем і пристрої для відтворюваного і стійкого вирощування та легування монокристалів кремнію. Встановлені числові методи визначення режимів очистки і легування стрижнів кремнію і розроблений критерій оцінки їх придатності для одержання монокристалів заданої якості. Запропонована нова теорія утворення микродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, основана на взаємодії точкових дефектів і атомів домішок. Встановлено, що мікродефекти А – і D–типу мають різну фізичну природу і їхнє утворення залежить від умов вирощування монокристалів. Завершальним етапом роботи стала розробка технології бездислокаційних монокристалів кремнію діаметром 105 мм. У повному обсязі технологія впроваджена на Запорізькому титано–магнієв ому комбінаті (м. Запоріжжя, Україна). Технологія легування впроваджена на Подільському хіміко–металургійному заводі (м. Подольськ, Росія). Registration Date 1999-04-14 popup.nrat_date 2020-05-17 Close