1 documents found
Information × Registration Number 0824U000663, PhD dissertation Status Доктор філософії Date 15-02-2024 popup.evolution . Title Influence of resistive heating conditions of a high-pressure cell on the crystallization of GaN from the Fe–Ga–N melt-solution system Author Liudvichenko Oleksii P., Доктор філософії popup.head Oleksandr O. Lyeshchuk popup.opponent Oleg V. Mikhailov popup.opponent Artem V. Kozyrev popup.review Aleksandr M. Sokolov popup.review Oleksandr O. Bochechka Description Дисертацію присвячено встановленню умов резистивного нагрівання комірок високого тиску апаратів типів «тороїд-30» і «тороїд-40» для дослідження розчинності нітриду ґалію у армко-залізі і кристалізації GaN із розчин-розплавної системи Fe–Ga–N. Встановлено, шо при значеннях градієнта температури ~13 °С/мм має місце агрегатний хаотичний ріст кристалів GaN; при зменшенні градієнта температури до значень ~8 °С/мм утворюється текстурований квазімонокристал GaN; при подальшому зменшенні градієнта температури до 1,5 С/мм спостерігається нестисненний ріст монокристалів GaN пелюсткової форми розміром до 3 мм, які об’єднуються в кущоподібні друзи. Оптимізовано схеми резистивного нагрівання комірки АВТ типу «тороїд-40», які забезпечують зменшення величини градієнта температури і приводять до покращення структурної досконалості кристалів GaN. Показано, що для забезпечення росту монокристалів GaN пелюсткової форми із системи Fe–Ga–N у температурному градієнті оптимальною є схема нагрівання комірки АВТ типу «тороїд-40» з використанням комбінованих торцевих нагрівачів з діаметром графітового диска у 10 мм. Усереднене значення осьового градієнта температури при цьому становить 1,5 °С/мм, ізолінії температури мають горизонтальну орієнтацію. Показано, що в процесі зростання зони кристалізації GaN температура в кристалізаційному об’ємі зменшується незначно (максимально до 5 С), що не потребує додаткового коригування теплового стану комірки при довготривалих режимах кристалізації GaN у температурному градієнті. Встановлено, що для проведення експериментів з вивчення розчинності нітриду ґалію у залізі в АВТ типу «тороїд-30» оптимальною є схема нагрівання комірки, що відповідає 60 %-вій концентрації ZrO2 в осьових нагрівачах, товщині стінки трубчастого нагрівача у 1,5 мм, за яких температура у зразку змінюється в інтервалі 1805–1842 С. Разом з тим, варіювання товщини стінки трубчастого нагрівача від 1,0 до 2,1 мм веде до незначного (~2 С) збільшення максимального перепаду температури у зразку GaN+Fe за одночасної лінійної зміни температури в центрі зразка від 1580 до 2059 С, що забезпечує можливість його дослідження в широкому температурному інтервалі без зміни ступеня однорідності його теплового стану. Registration Date 2024-01-26 popup.nrat_date 2025-01-17 Close
PhD dissertation
Oleksiy P. Liudvichenko. Influence of resistive heating conditions of a high-pressure cell on the crystallization of GaN from the Fe–Ga–N melt-solution system : Доктор філософії : spec.. 132 - Матеріалознавство : presented. ; popup.evolution: o; V. Bakul Institute of superhard material of the National Academy of Sciences of Ukraine. – Київ, 0824U000663.
1 documents found

Updated: 2026-03-28