Search academic texts

Information × Registration Number 0826U001016, PhD dissertation Status Доктор філософії Date 26-05-2026 popup.evolution o Title Physical properties anisotropy of the Me2P2S6 crystals family Author Henrietta Y. Ban, popup.head Oleksandr O. Molnar popup.opponent Andriy S. Vdovych popup.opponent Volodymyr M. Kryshenyk popup.review Ivan I. Nebola popup.review Vitalii Y. Liubachko Description В дисертації представлені результати дослідження анізотропії фізичних властивостей кристалів сімейства Me2P2S6. У результаті проведених експериментальних досліджень підтверджено, шо підвищення вмісту сірки Sn1.95P2S6.05 та олова Sn2.05P2S5.95 в кристалах Sn2P2S6 обумовлює низькотемпературні аномалії діелектричної проникності в діапазоні 100-280 К, які пов'язані з динамікою малих діркових поляронів з процесами донор-акцепторної компенсації в решітці з вакансіями олова і сірки. Вперше показано, що легування залізом трансформує Sn2P2S6 з «квазіідеального» сегнетоелектрика в дефектно-корельовану систему, де діелектричний відгук визначається конкуренцією сегнетоелектричного впорядкування і дефектної релаксаційної динаміки. Часткова заміна атомів Sn→Fe пригнічує поздовжній сегнетоелектричний відгук (по напрямку X), гігантськи підсилює поперечну діелектричну сприйнятливість Y та слабо зачіпає «жорсткий» напрямок Z. В шаруватих кристалах Cd2P2S6 в інтервалі 80-400 К спостерігаються три області на температурній залежності діелектричної проникності, в яких присутнє явище гістерезису. Наявність слабкої аномалії ε’(T) вздовж структурних шарів Cd2P2S6 за температуру, яка перевищують температуру фазового переходу, визначену з вимірювань поперек шарів у режимі охолодження, може бути пов’язана з виникненням перед-перехідних двовимірних полярних кореляцій у межах окремих шарів. Аномалія є перед перехідною і має двовимірний характер. В діапазоні температур 200-300 К кристали CdFeP2S6 проявляють релаксаційну поведінку в залежності діелектричної проникності від температури та частоти. При 290 К була виявлена аномалія в ε'(T), подібну до структурного фазового переходу, що спостерігається в Cd2P2S6 при нижчих температурах. Часткова заміна Cd на Fe призводить до значного перегрупування спектрів комбінаційного розсіювання, особливо в області < 150 см-1. Максимум діелектричних втрат при 250 К на частоті 10 кГц відповідає енергії активації Ea ≈ 0.347 еВ. Процес може бути пов’язаний з динамікою дефектно-індукованих диполів та/або поляронним переносом заряду між іонами Fe. Практичне значення одержаних результатів продемонстровано можливістю створення мікропотужного альтернативного джерела живлення на основі сегнетоелектриків Sn2P2S6 та CuInP2S6, здатного перетворювати тепло-світло-деформацію-вібрації в електричний струм. Registration Date 2026-04-12 popup.nrat_date 2026-04-12 Close