Search academic texts

Information × Registration Number 2107U000587, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2007 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/510 popup.publisher ННЦ "ХФТИ"; ИПП "Контраст" Description A.A. Stepanenko, A.N. Chornous Sumy State University, Sumy, Ukraine Phase formation and electrophysical properties of thin films on based of the Ti and Al in isothermal anneal conditions Results of the researching of the influence of temperature processing on phase formation and electrophysical properties of double-layer films on the based of Ti and Al with identical concentration of the components are presented. It is shown, that the isothermal annealing at temperature 820 K leads to formation of TiAl3 phase. This process is accompanied by sharp increase of resistivity. Представлены результаты исследования влияния температурной обработки на фазообразование и электрофизические свойства двухслойных пленочных систем на основе Ті и Аl с одинаковой относительной концентрацией компонент. Показано, что изотермический отжиг при температуре 820 К приводит к образованию интерметаллической фазы ТіА13. Этот процесс сопровождается значительным увеличением удельного электрического сопротивления пленочной системы. // Укр. версія: Представлені результати дослідження впливу температурної обробки на фазоутворення та електрофізичні властивості двошарових плівкових систем на основі Ті і А1 з однаковою відносною концентрацією компонент. Показано, що ізотермічне відпалювання при температурі 820 К призводить до утворення інтерметалідної фази ТіА13. Цей процес супроводжується значним збільшенням питомого електричного опору плівкової системи. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/510 popup.nrat_date 2025-05-12 Close