1 documents found
Information × Registration Number 2111U003698, Article popup.category Опубліковано, Стаття Title COMPUTER MODELING OF PRIMARY GROW-IN MICRODEFECTS FORMATION IN DISLOCATION-FREE SILICON MONOCRYSTALS popup.author Таланін В. І.Таланін І. Є.Семикіна М. Ю.Talanin V. I.Talanin I. E.Semikina M. U. popup.publication 12-01-2011 popup.source_user Журнал "Радіоелектроніка, інформатика, управління" (Національний університет "Запорізька політехніка") popup.source https://ric.zp.edu.ua/article/view/14501 popup.publisher National University "Zaporizhzhia Polytechnic" Description Представлено математичну модель і комп’ютерну прог- раму розрахунку для процесу утворення первинних росто- вих мікродефектів у бездислокаційному монокристалі кремнію на основі дисоціативного процесу дифузії. popup.nrat_date 2026-02-11 Close
Article
Опубліковано
Стаття
COMPUTER MODELING OF PRIMARY GROW-IN MICRODEFECTS FORMATION IN DISLOCATION-FREE SILICON MONOCRYSTALS
Таланін В. І.. COMPUTER MODELING OF PRIMARY GROW-IN MICRODEFECTS FORMATION IN DISLOCATION-FREE SILICON MONOCRYSTALS : published. 2011-01-12; Журнал "Радіоелектроніка, інформатика, управління" (Національний університет "Запорізька політехніка"), 2111U003698
1 documents found

Updated: 2026-03-27


Роздрукувати цю сторінку