Search academic texts

Information × Registration Number 2113U000419, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2013 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35612 popup.publisher Сумский государственный университет Description В работе описываются особенности получения пористого слоя на поверхности монокристалличе- ского селенида цинка n-типа. Исследована структура поверхности, представлены микрофотографии пористых слоев обработанного кристалла ZnSe. Рассмотрен процесса образования мозаичной структу- ры в зависимости от времени травления. Рассчитано значение потенциала плоских зон, в примене- нии к использованному электролиту. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35612 У роботі описуються особливості отримання пористого шару на поверхні монокристалічного селе- ніду цинку n-типу. Досліджена структура поверхні, представлені мікрофотографії пористих шарів об- робленого кристалу ZnSe. Розглянуто процес утворення мозаїчної структури залежно від часу трав- лення. Розраховано значення потенціалу плоских зон в застосуванні до використаного електроліту. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35612 Here we describe the production features of a porous layer on the surface of n-type single-crystalline zinc selenide. The surface structure is investigated and the photomicrographs of porous layers of the treated ZnSe crystal are represented. Process of the mosaic structure formation depending on the etching time is considered. The value of the flat-band potential with respect to the used electrolyte is calculated. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35612 popup.nrat_date 2025-03-24 Close