1 documents found
Information × Registration Number 2113U005836, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2013 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31715 popup.publisher Сумський державний університет Description Останнім часом напівпровідниковий матеріал групи А2В6 оксид цинку привертає увагу дослідників завдяки його високій хімічній, термічній стабільності, унікальним оптичним і електрофізичним властивостям та можливості реалізації на його основі ефективних приладів геліоенергетики, опто- та мікроелектроніки, сонячної промисловості і т.д. Крім того, завдяки досить великій ширині забороненої зони (Еg = 3,37 еВ), плівки оксиду цинку ефективно поглинають ультрафіолетове випромінювання (УФ), тому являються ідеальним матеріалом для створення захисних покриттів від дії УФ. Також, тонкі шари ZnO широко використовуються як віконні та антивідбиваючі шари сонячних елементів. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31715 popup.nrat_date 2025-05-12 Close
Article
Thesis
: published. 2013-01-01; Сумський державний університет, 2113U005836
1 documents found

Updated: 2026-03-23