Search academic texts

Information × Registration Number 2114U001567, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2014 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40096 popup.publisher Сумський державний університет Description Оксид магнію є перспективним матеріалом для створення цілого ряду приладів мікро- та наноелектроніки. Ця сполука є прямозонним напівпровідником n-типу із дуже великим значенням ширини забороненої зони в порівнянні з іншими матеріалами (7,8 еВ при кімнатній температурі). Вона має високу теплопровідність, низьку діелектричну проникність та діелектричні втрати, високий коефіцієнт пропускання та низький коефіцієнт заломлення світла. Ці властивості обумовили застосування сполуки MgO для створення надпровідникових приладів, захисних екранів в рідкокристалічних дисплеях, ізоляційних, антивідбивних та буферних шарів сонячних елементів на основі різних поглинаючих матеріалів, тощо. popup.nrat_date 2025-05-12 Close