Search academic texts

Information × Registration Number 2114U001639, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2014 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38278 popup.publisher Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України; Національна академія наук України Description Оксид цинку (ZnO) одна з найбільш перспективних напівпровідникових сполук для створення різноманітних приладів мікро- та оптоелектроніки. Завдяки широкій забороненій зоні (Eg = 3,37 еВ), хімічній та термічній стабільності в атмосфері оксид цинку розглядається як альтернативний традиційним шарам ITO ((In2O3)0,9+(SnO2)0,1) та FTO (SnO2:F) матеріал для використання як прозорий струмопровідний та антивідбивний шар фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. Ця сполука не містить в своєму складі малопоширених хімічних елементів (таких як In), має найбільшу серед бінарних сполук енергію утворення екситонів (60 меВ) та високу електричну провідність. Перераховані переваги дають можливість використовувати оксид цинку як функціональний матеріал ультрафіолетових лазерів, детекторів, газових сенсорів, світлоемісійних діодів та ін. popup.nrat_date 2025-05-12 Close