Search academic texts

Information × Registration Number 2114U001821, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2014 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38261 popup.publisher Львівський національний університет ім. Івана Франка Description Сьогодні, оксидні матеріали набувають все більшого використання в електронній техніці. Так оксид магнію, завдяки своїм властивостям, є перспективною сполукою для створення приладів нано- та мікроелектроніки. Цей матеріал є прямозонним напівпровідником n-типу провідності, крім того він має дуже велике значення ширини забороненої зони в порівнянні з іншими матеріалами (Eg=7,8 еВ при кімнатній температурі). Оксид магнію має ряд властивостей, важливих для функціонування напівпровідникових приладів: високу теплопровідність, низьку діелектричну проникність та діелектричні втрати, високий коефіцієнт пропускання та низький коефіцієнт заломлення світла. Це обумовлює застосування сполуки як матеріалу захисних екранів рідкокристалічних дисплеях, надпровідникових приладів, ізолюючих шарів тунельних переходів, а також антивідбивних та буферних шарів сонячних елементів на основі різних поглинаючих шарів. popup.nrat_date 2025-05-12 Close