Search academic texts

Information × Registration Number 2115U000652, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2015 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44481 popup.publisher Сумський державний університет Description У роботі досліджено вплив іонізуючого випромінювання ізотопу радію 226Ra на електричні та фотолюмінесцентні властивості наноструктур поруватого кремнію. Внаслідок радіаційної обробки зареєстровано зменшення електричного опору експериментальних зразків в режимі змінного струму і трансформацію смуги люмінесцентного випромінювання. Вивчено температурні залежності електропровідності та струму деполяризації в температурному діапазоні 80-325 К. Проаналізовано вплив радіаційного опромінення на енергетичний розподіл локалізованих електронних станів у структурах на основі поруватого кремнію. Отримані результати розширюють перспективу застосування поруватого кремнію для сенсорів радіації. В работе исследовано влияние ионизирующего излучения изотопа радия 226Ra на электрические и фотолюминесцентные свойства наноструктур пористого кремния. Вследствие радиационной обработки зарегистрировано уменьшение сопротивления экспериментальных образцов в режиме переменного тока и трансформацию полосы люминесцентного излучения. Изучены температурные зависимости электропроводности и тока деполяризации в температурном диапазоне 80-325 К. Проанализировано влияние радиационного облучения на энергетическое распределение локализованных электронных состояний в структурах на основе пористого кремния. Полученные результаты расширяют перспективу применения пористого кремния для сенсоров радиации. The influence of ionizing radiation from 226Ra source on the electrical and photoluminescent properties of porous silicon nanostructures was investigated. After the radiation exposure, AC resistance of experimental samples decreased and luminescence band was changed. Temperature dependencies of electrical conductivity and depolarization current were studied in 80-325 K temperature range. Effect of radiation on the energy distribution of localized electronic states in porous silicon based structures is analyzed. Obtained results expand the application prospective of porous silicon for radiation sensing. popup.nrat_date 2025-03-24 Close