Search academic texts

Information × Registration Number 2116U000597, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2016 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45661 popup.publisher Sumy State University Description Досліджені структурно-фазовий склад і магніторезистивні властивості тришарових плівкових систем на основі пермалою та міді, отриманих методом пошарової конденсації металів з наступною термообробкою в інтервалі температур 300-700 К. Показано, що в інтервалі товщин шарів dCu = 6-15 нм та dPy = 25-40 нм для свіжосконденсованих та відпалених за температури 400 К реалізується спін-залежне розсіювання електронів. Встановлено, що максимальне значення ізотропного магнітоопору спостерігається після відпалювання зразків за температури 400 К, а відпалювання за 550 К призводить до появи анізотропного магнітоопору. Исследованы структурно-фазовый состав и магниторезистивные свойства трехслойных пленочных систем на основе пермаллоя и меди, полученных методом послойной конденсации металлов с последующей термообработкой в интервале температур 300-700 К. Показано, что в интервале толщин слоев dCu = 6-15 нм и dPy = 25-40 нм для свежосконденсированных и отожженных при температуре 400 К реализуется спин-зависимое рассеяние электронов. Установлено, что максимальное значение изотропного магнитосопротивления наблюдается после отжига образцов при температуре 400 К, а отжиг при 550 К приводит к появлению анизотропного магнитосопротивления. Structural and phase composition and magnetoresistive properties of three-layer film systems based on permalloy and copper were investigated. The samples were obtained by layer by layer condensation method with followed heat treatment to the 300-700 K temperature range. Shown that the spin-dependent scattering of electrons realizing in the range of layer thicknesses (dCu = 6-15 nm and dPy = 25-40 nm) of the condensed and annealed at 400 K samples. The Maximum GMR observed after annealing the samples at 400 K and annealing to 550 K leads to anisotropic magnetoresistance occurrence. popup.nrat_date 2025-03-24 Close