Search academic texts

Information × Registration Number 2116U000834, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2016 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45642 popup.publisher Сумский государственный университет Description В работе исследуются изменения в кинетике спада фото-ЭДС, обусловленные воздействием низкоэнергетического (W = 8 кэВ) рентгеновского излучения на структуры «солнечный» кремний - нанонаполненное полимерное покрытие. Показано, что радиационно-стимулированная деградация кратковременной и долговременной компонент спада, которые связаны, соответственно, со временем жизни носителей на поверхности кристаллов «солнечного» кремния и в его приповерхностных слоях отсутствует в кристаллах «солнечного» кремния с покрытиями, имеющими содержание наполнителя (полисилоксановые частицы) в количестве 0,5 мас. %. Установлено, что при содержании наполнителя в покрытии 0,001 и 1,0 мас. % наблюдается эффект существенной потери радиационной стойкости кристаллов «солнечного» кремния. В роботі досліджуються зміни в кінетиці спаду фото-ЕРС, зумовлені впливом низькоенергетичного (W = 8 кеВ) рентгенівського випромінювання на структури «сонячний» кремній - нанонаповнене полімерне покриття. Показано, що радіаційно-стимульована деградація короткотривалої та довготривалої компонент спаду, які пов'язані, відповідно, з часом життя носіїв на поверхні кристалів «сонячного» кремнію і в його приповерхневих шарах відсутня в кристалах «сонячного» кремнію з покриттями, що мають вміст наповнювача (полісилоксанові частинки) в кількості 0,5 мас. %. Встановлено, що при вмісті наповнювача в покритті 0,001 і 1,0 мас. % спостерігається ефект істотної втрати радіаційної стійкості кристалів «сонячного» кремнію. This paper investigates the changes in the decay kinetics of photovoltage due to the influence of low-energy (W = 8 keV) X-ray on the structure of the "solar" silicon + nanofilled polymer coatings. It is shown that radiation-stimulated degradation of the short-term and long-term components of decay, which are depended on the carriers’ lifetime on the surface and near-surface layers of "solar" silicon (s-Si) crystals accordingly, is absent for s-Si crystals with filler content (polysiloxane particles) in an amount of 0.5 wt. %. It is determined that the essential loss of radiation stability in s-Si crystals is observed when filler content (polysiloxane particles) in an amount of C = 0,001 % and C = 1 %. popup.nrat_date 2025-03-24 Close