Search academic texts

Information × Registration Number 2116U002213, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2016 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/48006 popup.publisher Сумский государственный университет Description Для МДП-структуры с двумя типами ловушечных уровней, учитывающими наличие дефектов в окисле и радиационно-индуцированные поверхностные состояния, строится физико-математическая модель процессов накопления индуцированного ионизирующей радиацией заряда в диэлектрике и на границе раздела SiO2/Si МДП-структуры при облучении ее гамма-квантами. popup.nrat_date 2025-05-12 Close