Search academic texts

Information × Registration Number 2117U000862, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2017 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65939 popup.publisher Сумський державний університет Description В даній роботі систематично надані експериментальні дані і критично розглянуті теоретичні моделі зміни провідності кремнієвих структур при адсорбції молекул NO2. Проведені квантовохімічні розрахунки показали, що адсорбція молекул оксиду азоту на гідрогенізованій поверхні кремнію може приводити лише до ефективного руйнування димерів N2O4. Оборотне зростання концентрації вільних дірок можна пояснити адсорбцією молекул NO2 на поверхневих гідроксильних групах. В данной работе систематически предоставлены экспериментальные данные и критически рассмотрены теоретические модели изменения проводимости кремниевых структур при адсорбции молекул NO2. Проведенные квантовохимические расчеты показали, что адсорбция молекул оксида азота на гидрированной поверхности кремния может приводить только к эффективному разрушению димеров N2O4. Обратимое повышение концентрации свободных дырок можно объяснить адсорбцией молекул NO2 на поверхностных гидроксильных группах. The paper critically reviewes experimental data and their theoretical explanations related to the change in conductivity of the silicon structures arising from the adsorption of NO2 molecules. Our quantumchemical calculations showes that the adsorption of molecules of nitric oxide on hydrogenated silicon surface can lead only to the effective destruction of the dimer N2O4. Reversible increase in the concentration of free holes can be explained by adsorption of NO2 molecules on the surface hydroxyl groups. popup.nrat_date 2025-03-24 Close