Search academic texts

Information × Registration Number 2117U001533, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2017 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65885 popup.publisher Sumy State University Description The electrical characteristics of the Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo heterostructures, manufactured by magnetron sputtering of molybdenum oxide thin films on CdTe semi-insulating crystals produced by Acrorad Co. Ltd were studied. Optimization of substrate conditions pretreatment and contacts deposition allowed to reduce the dark current of the detectors compared with earlier analogs and, consequently, to improve its spectrometric characteristics. The charge transport mechanisms for ensuring the low values of reverse currents in the structures were determined: the generation-recombination in the space charge region (SCR) at relatively low voltages and currents limited by the space charge at high voltages. It is shown that the heterostructure Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo can be used for practical applications in the X- and γ-ray detectors. Досліджено електричні характеристики гетероструктур Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo, виготовлених методом магнетронного напилення плівок оксиду молібдену на напівізолюючі кристали CdTe виробництва Acrorad Co. Ltd. Оптимізація умов попередньої обробки підкладинок і нанесення контактів дозволила зменшити темновий струм детектора у порівнянні з раніше отриманими аналогами і, як наслідок, покращити його спектрометричні характеристики. Проаналізовано механізми переносу заряду, які забезпечують низькі значення зворотного струму в досліджуваних структурах: генерація-рекомбінація в області просторового заряду (ОПЗ) при відносно низьких напругах і струми, обмежені просторовим зарядом, при високих напругах. Показано, що гетероструктури Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo можуть бути використані для практичного застосування в детекторах X- и γ-випромінювання. Исследованы электрические характеристики гетероструктур Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo, изготовленных методом магнетронного напыления пленок оксида молибдена на полуизолирующие кристаллы CdTe производства Acrorad Co. Ltd. Оптимизация условий предварительной обработки подложек и нанесения контактов позволила уменьшить темновой ток детектора по сравнению с ранее полученными аналогами и, как следствие, улучшить его спектрометрические характеристики. Проанализированы механизмы переноса заряда, обеспечивающие низкие значения обратных токов в исследуемых структурах: генерация-рекомбинация в области пространственного заряда (ОПЗ) при относительно низких напряжениях и токи, ограниченные объемным зарядом, при высоких напряжениях. Показано, что гетероструктуры Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo могут быть использованы для практического применения в детекторах X- и γ-излучения. popup.nrat_date 2025-03-24 Close