Search academic texts

Information × Registration Number 2117U002167, Article popup.category Thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2017 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64275 popup.publisher Сумський державний університет Description Методами математичного моделювання вивчено вплив термічного режиму охолодження розплаву на кінетику кристалізації тонких шарів Ag, Al, Cu, Ge та Ni, що контактують з масивною підкладкою. Показано, що в залежності від товщини шару розплаву l1, кристалізація минає в різних термічних умовах, які чинять вплив і на кінцеву мікроструктуру фольг. Узагальненням результатів моделювання встановлено три різновиди режимів охолодження тонких шарів розплаву. Шари розплаву товщиною понад 4,69 мкм (для Ge), 1,33 мкм (для Ni), 0,075 мкм (для Ag) та 0,058 мкм (для Cu) тверднуть в умовах інтенсивного виділення прихованої теплоти кристалізації. Криві охолодження мають рекалесцентні ділянки. popup.nrat_date 2025-05-12 Close