1 documents found
Information × Registration Number 2118U005333, Article popup.category Опубліковано, Стаття Title APPLICATION OF THERMOMIGRATION FOR TECHNOLOGY OF POWERFUL SEMICONDUCTORS APPLIANCES popup.author Кравчина В. В.Полухін О. С.Kravchina V. V.Polukhin O. S. popup.publication 07-12-2018 popup.source_user Журнал "Радіоелектроніка, інформатика, управління" (Національний університет "Запорізька політехніка") popup.source https://ric.zp.edu.ua/article/view/148608 popup.publisher National University "Zaporizhzhia Polytechnic" Description Актуальность. Проведені дослідження дозволяють удосконалити технологічні процеси виготовлення н/п приладів таконтроль їх якості. Мета роботи – розробка і вдосконалення технології СНП з використовуванням процесів ТМ Al та дослідження рельєфутравлення кремнію в області р+-Si ізоляції. Досліджувався вплив часу відпалу на особливості МТ канавок в областітермоміграціі.Метод. Об’єктом дослідження були технологічні особливості процесів формування структур за різними маршрутами,що відрізняються послідовністю проведення процесів формування активних структур, а саме процесів відпалу структур ітермоміграціі Al.Результати. В роботі проаналізовані причини зміни напруги пробою p-n-переходів вертикальних наскрізних областей,створених термоміграцією, в залежності від часу відпалу н/п структур. На зразках з оптимальним режимом відпалу в 16годин при температурі 1250  С спостерігаються максимальні напруги пробою шарів ізоляції та мінімальні величини МПТканавок травлення кремнію різного типу провідності в області ізоляції кристалів наскрізними ТМ шарами. Такий мінімальний мікрорельєф визначає мінімум залишкових механічних напружень. Показано, що при виготовленні н/п структур приладів більшої потужності із зворотною напругою 2000 В, оптимальним є варіант маршруту, коли спочатку проводять процеси загонки домішок глибоких активних шарів, а потім проводять процеси ТМ при формуванні шарів ізоляції. Надалі проводятьсуміщений відпал як ізоляції, так і активних шарів. Таке суміщення процесів відпалу покращує характеристики структур.Висновки. В роботі визначено оптимальний маршрут, режим відпалу структур та показано, що контроль змін кінетики травлення шарів кремнію в області ТМ домішки алюмінію допомагає у визначенні оптимальних режимів. popup.nrat_date 2026-02-09 Close
Article
Опубліковано
Стаття
Кравчина В. В.. APPLICATION OF THERMOMIGRATION FOR TECHNOLOGY OF POWERFUL SEMICONDUCTORS APPLIANCES : published. 2018-12-07; Журнал "Радіоелектроніка, інформатика, управління" (Національний університет "Запорізька політехніка"), 2118U005333
1 documents found

Updated: 2026-03-21