Search academic texts

Information × Registration Number 2119U001626, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2019 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/74449 popup.publisher Sumy State University Description Зусилля, спрямовані на подолання проблем технологіїкомплементарної структури метал- оксиднапівпровідник(CMOS) зумовили створення польового транзистора на вуглецевих нанотрубках (CNTFET). Удосконалення структури CNTFET призводить до більш високої рухливості та електростатики електронів затвора. Саме тому багато аналогових схем зараз розроблені на основі технології CNTFET. У роботі представлено режим малої потужності з чотириквадрантним аналоговим мультиплікатором на основі технологій CNTFET і CMOS (технологія додатковогошару оксид-металнапівпровідник). Усі моделювання були виконані із симулятором synopsys Hspice з використанням 32 нм моделі CNTFET із Стенфордського університету і 32 нм моделі CMOS з бібліотеки PTM при напрузі живлення 3.3 В. Було показано, що моделювання мультиплікатора на основі технології CNTFET здійснюється краще, ніж моделювання мультиплікатора на основі технології CMOS. The endeavor to overcome problems of complementary metal oxide semiconductor technology (CMOS) makes the advent of carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET). Improvement of carbon nanotube field-effect transistor structure leads to higher mobility and electrostatics of gate electrons. Therefore, many analog circuits are now designed based on carbon nanotube field-effect transistor technology. This paper presents a low power current mode four-quadrant analog multiplier based on CNTFET and CMOS technologies. All simulations were done with the synopsys Hspice simulator using 32 nm CNTFET model from Stanford University and 32 nm CMOS from PTM library at a supply voltage of 3.3 V. It was shown that the simulation of a multiplier based on carbon nanotube field-effect transistor technology performs better than a multiplier based on CMOS technology. popup.nrat_date 2025-03-24 Close