Search academic texts

Information × Registration Number 2119U007396, Article popup.category Бакалаврська робота Title Фотодіод на основі InSb з використанням імплантації іонів берилію (AI translated) popup.author Безручко Марко ВалерійовичBezruchko Marko Valeriiovych popup.publication 01-06-2019 popup.source_user Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» popup.source https://ela.kpi.ua/handle/123456789/28845 popup.publisher Київ Description Роботу викладено на 67 сторінках, вона містить 3 розділів, 59 ілюстрацій, 6 таблиці та 19 джерел в переліку посилань. Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів берилію. Предмет роботи – вольт-амперні характеристики фоточутливого елементу, профіль розподілу імплантованої домішки Метою даної роботи є створення фоточутливого елементу на основі n-InSb, який працює при 77 К, та удосконалення його технологічного маршруту. У першому інформаційно-аналітичному розділі роботи коротко надано відомості про детектори на основі InSb. У другому розділі викладена інформація про основні процеси технологічного маршруту. У третьому розділі удосконалюється процес виготовлення фотодіоду. The work is presented in 67 pages, it contains 3 sections, 59 illustrations, 6 tables and 19 sources in the list of references. The object of the study was a photosensitive element based on InSb formed with the implantation of beryllium ions. Subject of work - Voltage-ampere characteristics of a photosensitive element, distribution profile of implanted impurities The purpose of this work is to create a photo-sensitive element based on n-InSb, which operates at 77 K, and to improve its technological route. In the first information-analytical section of the work, brief information is provided on InSb-based detectors. The second section describes the main processes of the technological route. In the third section, the process of manufacturing a photodiode is being improved. popup.nrat_date 2025-11-05 Close