Search academic texts

Information × Registration Number 2120U001897, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2020 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/79479 popup.publisher Sumy State University Description У роботі було вивчено електричну поведінку комірки пам'яті 6T-SRAM в 3C-SiC за 130 нм технологією CMOS. Вивчення впливу співвідношення комірок (CR), напруги живлення (VDD) і температури (T) на статичний запас шуму (SNM), а також впливу температури на час запису показало, що така комірка характеризується низькою потужністю (P = 27 нВт), високою швидкістю (час запису τwrite = 0,305 нс) і широким запасом шуму (RSNM = 320 мВ), а також працює при низькій напрузі VDD = 1.2 В і високій температурі до 350 °C. Порівняння з літературою показало, що комірка пам'яті 6T-SRAM в SiC за 130 нм технологією CMOS характеризується гарною електричною поведінкою та високими електричними характеристиками. Semiconductor memories are becoming more and more present in the most hostile environments. In this paper, the electrical behavior of the 6T-SRAM memory cell in 3C-SiC in 130 nm CMOS technology was studied. The study of the effect of the cell ratio (CR), supply voltage (VDD) and temperature (T) on the static noise margin (SNM), as well as the influence of temperature on write time showed that this cell is characterized by a low power (P = 27 nW), a high speed (write time τwrite = 0.305 ns) and a wide noise margin (RSNM = 320 mV), and also it works under a low voltage VDD = 1.2 V and a high temperature up to 350 °C. The comparison with the literature has shown that the 6T-SRAM cell in SiC with 130 nm CMOS technology is characterized by good electrical behavior and high electrical performance. popup.nrat_date 2025-03-24 Close