Search academic texts

Information × Registration Number 2120U002076, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2020 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/81172 popup.publisher Sumy State University Description Основною метою роботи є визначення впливу процентного вмісту германію в основі SiGe біполярного транзистора з гетеропереходом (HBT) для аналіза ефекта самонагрівання пристрою. Ми використовуємо комерційне програмне забезпечення COMSOL Multiphysics. Модель пов'язує напівпровідниковий модуль з модулем HTS (Heat Transfer in Solids). Це дозволяє моделювати розподіл температури на пристрої SiGe HBT для рівнів германію в межах від x = 10 %, 20 % до x = 30 %. Спочатку ми визначаємо статичний коефіцієнт підсилення (β) SiGe HBT шляхом варіювання процентного вмісту германію. Крім того, ми аналізуємо розподіл тепла на поверхні компонента для трьох розглянутих рівнів германію, щоб визначити максимальну температуру Tmax в пристрої. Дійсно, для x = 10 % максимальна температура становить Tmax = 377 K і близька до переходу база-колектор. При збільшенні фракції германію в сплаві SiGe (x = 20 %) максимальна температура самонагрівання зменшується (Tmax = 366 K), тоді як при x = 30 % температура самонагрівання зменшується ще більше Tmax = 354 K), і вона поширюється на весь компонент. Це явище серйозно погіршує електричні характеристики HBT. The main purpose of this paper is to determine the impact of germanium percentage within the base of a SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) in order to analyze the effect of the device self-heating. We use the COMSOL Multiphysics commercial software. The model links the semiconductor module to the HTS (Heat Transfer in Solids) module. This allows to simulate the temperature distribution across the SiGe HBT device for germanium levels ranging from x = 10 %, 20 % to x = 30 %. We first determine the static gain (β) of the SiGe HBT by varying the percentages of germanium. In addition, we analyze the heat distribution on the component surface for the three considered levels of germanium in order to record the maximum temperature Tmax in the device. Indeed, for x = 10 %, the maximum temperature is Tmax = 377 K and is close to the base-collector junction. When the germanium fraction in the SiGe alloy is increased (x = 20 %), the maximum temperature of self-heating decreases (Tmax = 366 K), while for x = 30 % the temperature of self-heating decreases more (Tmax = 354 K) and it spreads over the entire component. This phenomenon degrades seriously the electrical performances of the HBT. popup.nrat_date 2025-03-24 Close