Search academic texts

Information × Registration Number 2120U003036, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author popup.publication 01-01-2020 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80337 popup.publisher Description Метою даної роботи є ознайомлення з конструктивно-технологічними та функціональними особливостями спінових діодів та транзисторів різного функціонального призначення, різних типів пам’яті на ефекті ГМО, проведення критичного аналізу переваг та недоліків даних приладів. А також розрахунок основних параметрів спін залежного розсіювання електронів. Розглянуто та проведено критичний аналіз переваг та недоліків різних типів запам’ятовуючих пристроїв: перфокарт, магнітних стрічок, флеш-пам’яті та «бігової» пам’яті тощо. Установлено, що основними критеріями, які характеризують запам’ятовуючий пристрій є: щільність запису, кількість циклів перезапису, енергоефективність, стійкість до впливу зовнішніх факторів. Так, технологія HAMR, де робочими магнітними шарами виступають Fe14Nd2B, CoPt i Co5Sm, дозволяє створити запам’ятовуючі пристрої із щільністю запису до 2 Тбайт/дюйм2, та енергоспоживанням до 200 мВт. Об’єм переданих даних однією головкою становить більше ніж 2 Пбайт. Розраховано параметри спін-залежного розсіювання для плівкової системи Fe/Au/Fe/П. Параметр об’ємної асиметрії – _m лежить в межах від 2,47 до 3,85, параметр спінової асиметрії –  змінюється від 0,42 до 0,59. Основними носіями є електрони зі спіном «верх», так як питомий опір мажоритарних приблизно у 2 рази більший за питомий опір міні тарних носіїв заряду. popup.nrat_date 2025-05-12 Close