Search academic texts

Information × Registration Number 2120U003193, Article popup.category Master thesis Title popup.author popup.publication 01-01-2020 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/82012 popup.publisher Сумський державний університет Description Мета кваліфікаційної роботи магістра полягала у аналізі результатів та вивченні явища фотоефекту у тонких напівпровідникових плівках германію та кремнію, визначення чутливості плівкових зразків до дії зовнішнього опромінення у залежності від їх товщини. Під час виконання роботи використовувалися такі методи як термічне випаровування у вакуумі для одержання зразків, оптична інтерферометрія для визначення товщини та резистометрія для дослідження впливу опромінювання на величини опору плівок. В якості приладів використовувались установка ВУП-5М, інтерферометр МІІ-4, світлофотометр. У результаті проведених досліджень було проведено дослідження явища фотоефекту в тонких плівках Ge i Si та визначено коефіцієнт чутливості К, який показує як змінюється питомий опір зразка при зміні інтенсивності джерела випромінювання. Встановлено, що величина коефіцієнта К при зростанні товщини зменшується. popup.nrat_date 2025-05-12 Close