Search academic texts

Information × Registration Number 2120U007276, Article popup.category Thesis Title popup.author Волобуєв В.В.Кахерьский Станіслав ІгоровичКахерский Станислав ИгоревичДоброжан Олександр АнатолійовичДоброжан Александр АнатольевичОпанасюк Анатолій СергійовичОпанасюк Анатолий СергеевичKakherskyi Stanislav IgorevichDobrozhan Oleksandr AnatoliiovychOpanasiuk Anatolii Serhiiovych popup.publication 10-12-2020 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/80967 popup.publisher Сумський державний університет Description У наш час для перетворення сонячної енергії у електричну в основному використовуються сонячні елементи (СЕ), що базуються на кремнієвих технологіях (перше покоління СЕ), однак останні роки все частіше почали застосовуватися тонкоплівкові фотоперетворювачі (ФЕП) на основі гетеропереходів (ГП) з поглинальними шарами GaAs, InP, CdTe, CuIn1-yGaySe2 (CIGS), які відносяться до другого покоління таких приладів. popup.nrat_date 2025-09-29 Close