Search academic texts

Information × Registration Number 2121U001555, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author Ємельянов Максим Григорович popup.publication 01-01-2021 popup.source_user Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» popup.source https://ela.kpi.ua/handle/123456789/59628 popup.publisher Київ Description Об’єктом дослідження в даній роботі являється трикомпонентна сполука арсеніду алюмінію галію AlxGa1-xAs, так як вона має перспективи у своєму досліджені та впроваджені у сучасну електроніку. Цю сполуку розглядають, як твердий сплав двох бінарних напівпровідників, а саме арсеніду галію GaAs та арсеніду алюмінію AlAs. Для активного впровадження у сучасні технологія дана трикомпонентна сполука потребує більш детального опису та досліджень, які пов’язані з дослідженнями процесів розсіювання, часів релаксації імпульсу, температурної залежності рухливості та інші. Всі ці залежності описані лише у вузькому діапазоні значень концентрацій домішок, які в побільшому корегуються коригуючими коефіцієнтами. Метою даної роботи є дослідження температурної рухливості в трикомпонентному напівпровіднику AlxGa1-xAs при значеннях х = 0; 0,5; 1. Для цього дослідження було сформований програмний алгоритм, який дозволяє провести моделювання процесів розсіювання носіїв заряд, що визначають поведінку досліджуваної залежності у всьому діапазоні значень концентрації легуючої домішки. popup.nrat_date 2025-01-29 Close