1 documents found
Information × Registration Number 2121U008063, Article popup.category Бакалаврська робота Title Technology of growing single crystals in high-temperature and high-pressure conditions (AI translated) popup.author Гладкий Ілля ОлексійовичHladkyi Illya Oleksiiovych popup.publication 01-06-2021 popup.source_user Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» popup.source https://ela.kpi.ua/handle/123456789/52699 popup.publisher Київ Description Дипломна робота: 63 сторінки, 21 рисунок, 6 таблиць, 57 джерел інформації. Об’єкт дослідження: кристали GаN, сплави-розчинники на основі заліза для вирощування монокристалів. Мета роботи: Отримання високоякісних монокристалів GaN у АВТ типу «тороїд» методом температурного градієнту. Методи дослідження: SEM, XRD, ІЧ-спектроскопія, та раманівська спектроскопія. В результаті роботи розглянуто сучасні методи отримання кристалів GaN, досліджено вплив параметрів вирощування монокристалів на структурну досконалість кристалів GaN. Виконано експерименти з вирощування кристалів GaN за температур 1200 оС, 1400 оС та 1600 оС на протязі 55 хв, 14 год. та 17 год. відповідно. Досліджено вплив температури, тиску, часу кристалізації та складу сплаву-розчинника на структурну досконалість отриманих кристалів за допомогою методів SEM, XRD, ІЧ-спектроскопії, оптичної та раманівської спектроскопій. Thesis: 63 pages, 21 figures, 6 tables, 48 references. Object of research: GаN crystals, solvent alloys based on iron for growing single crystals. Purpose: Obtaining high-quality GaN single crystals in AVT type "toroid" by the temperature gradient method. Research methods: SEM, XRD, IR spectroscopy, and Raman spectroscopy. As a result, modern methods of obtaining GaN crystals are considered, the influence of single crystal growth parameters on the structural perfection of GaN crystals is investigated. Experiments on the cultivation of GaN crystals at temperatures of 1200 °C, 1400 °C and 1600 °C for 55 min, 14 h and 17 h were performed. in accordance. The influence of temperature, pressure, crystallization time and composition of the solvent alloy on the structural perfection of the obtained crystals was studied using the methods of SEM, XRD, IR spectroscopy, optical and Raman spectroscopy. popup.nrat_date 2025-11-05 Close
Article
Бакалаврська робота
Гладкий Ілля Олексійович. Technology of growing single crystals in high-temperature and high-pressure conditions (AI translated) : published. 2021-06-01; Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2121U008063
1 documents found

Updated: 2026-03-23