1 documents found
Information × Registration Number 2122U001372, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author Коталевич Андрій popup.publication 01-01-2022 popup.source_user Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» popup.source https://ela.kpi.ua/handle/123456789/55383 popup.publisher Київ Description Різання металевих матеріалів широко застосовується як в заготівельних цехах, так і для подальшого їх оброблення для виготовлення деталей машин і приладів. В даний час для обробки важко оброблюваних матеріалів застосовуються електрофізичні та електрохімічні методи, до яких відносяться анодно- механічне, електроерозійне, плазмове, електронно-променеве та лазерне різання. За допомогою електронно-променевого різання, що базується на випаровуванні оброблюваного матеріалу електронним променем у вакуумі, можна різати як металеві, так і неметалеві матеріали. Процес забезпечує порівняно високу продуктивність, малі ширину різу і зону термічного впливу (ЗТВ), високу якість різу. Можлива обробка по складному контуру. Недоліками електронно-променевої обробки є необхідність поміщати деталі у вакуумну камеру; застосування складного і незручного в експлуатації обладнання та спеціальних захисних пристроїв від рентгенівського випромінювання. Плазмове та кисневе різання широко застосовується для розкрою листового металу. При різанні нелегованих та низьколегованих сталей товщиною більше 5...10 мм найбільш вигідно застосовувати кисневе різання. Плазмове різання використовується для важко оброблюваних металів та легованих сталей товщиною 5...150 мм. Для визначення доцільності застосування того чи іншого методу різання необхідно розглядати три параметри: 1) конкурентоспроможність; 2) межі застосування; 3) переваги в порівнянні з іншими методами. Найбільш доцільно лазерне різання застосовувати при розкрої листів із сталей, титанових сплавів та кольорових металів товщиною до 5...10 мм popup.nrat_date 2025-01-29 Close
Article
Бакалаврська робота
Коталевич Андрій. : published. 2022-01-01; Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2122U001372
1 documents found

Updated: 2026-03-28