Search academic texts

Information × Registration Number 2122U003768, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author popup.publication 01-01-2022 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88135 popup.publisher Конотопський інститут Сумського державного університету Description Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є транспорт носіїв заряду в структурах FinFET з кремнієвим каналом. Мета роботи полягає у дослідженні впливу температури на продуктивність FinFET з кремнієвим каналом. У результаті проведених досліджень у програмному середовищі Silvaco ТCAD було виконано моделювання структури FinFET, набуто навичок роботи з транспортними моделями, зроблено висновки про особливості робочих характеристик сучасних польових транзисторів. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд розвитку технологій виготовлення польових транзистрів. У другому розділі розглядається методика моделювання структури FinFET з кремнієвим каналом та її робочих характеристик за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі були спроєктовані тривимірні структури та досліджені на вплив температури на їх продуктивність, отримані результати свідчать про високу термічну стійкість електричних параметрів FinFET з кремнієвим каналом. popup.nrat_date 2025-05-12 Close